668068 Records found
Previous Next
11281.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
მიღებულია ზეემანის ქვესისტემებისათვის დიფერენციალური განტოლებები მატრიცის ბირთვების სპინური დიფუზიის გათვალისწინებით იმ შემთხვევაში, როდესაც ცვლადი მაგნიტური ველები მოდებულია ზუსტ რეზონანსში და ზუსტად არის დაკმაყოფილებული ჰანის პირობა.
Differential equations are obtained for Zeeman subsystems with account for spin diffusion of matrix nuclei in the case when alternating fields are applied in an exact resonance and exactly satisfy the Hahn condition.
11282.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
50 მევ ენერგიის ელექტრონებით დასხივებული ინდიუმის ფოსფიდისა და ინდიუმის არსენიდის კრისტალების ელექტროგამტარებლობა.
Electroconductivity of indium phosphide and indium arsenide crystals irradiated with 50 Mev electrons.
11283.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
გამოკვლეულია 50 მევ ენერგიის მქონე ელექტრონებით დასხივებული InP და InAs კრისტალების ელექტრული თვისებები (77–300)°K ტემპერატურულ ინტერვალში.
The electrical properties of InP and InAs crystals irradiated with 50 Mev electrons in the temperature range (77–300)°K have been investigated.
11284.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
გაანალიზებულია დენის მატარებლების კონცენტრაციის და ძვრადობის დამოკიდებულება ტემპერატურაზე დასხივების შემდეგ.
The temperature dependences of carrier concentration and mobility after irradiation were analyzed.
11285.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
ძვრადობის ექსპერიმენტული შედეგები შედარებულია იონიზებულ მინარევებსა და კრისტალური მესერის ოპტიკურ რხევებზე დენის მატარებლების გაბნევის თეორიის მონაცემებთან.
The experimental data were compared with theoretical calculations based on the theory of scattering over ionized impurities and of polar lattice scattering.
11286.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
გადართვის მოვლენა CdGeAs<sub>2</sub> შენაერთის საფუძველზე დამზადებულ თხელ ამორფულ ფირებში.
Switching effect in thin amorphous films based on CdGeAs<sub>2</sub>.
11287.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
შრომაში შესწავლილია ზღვრული ელექტრული გადართვის მოვლენა CdGeAs<sub>2</sub> შენაერთის საფუძველზე დამზადებულ თხელ ამორფულ ფირებში.
Electric threshold switching in thin amorphous films obtained from CdGeAs<sub>2</sub> has been investigated.
11288.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
შესწავლილია ამ ფირების საფუძველზე დამზადებული გადამრთველი ხელსაწყოების ვოლტ-ამპერული მახასიათებლები დინამიკურ რეჟიმში.
The dynamic I–V characteristics of thin–film switching devices have been studied.
11289.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
წრედისგარეშე პარამეტრების სათანადო შერჩევისას დაიმზირებოდა ან S-მაგვარი ვოლტ-ამპერული მახასიათებელი უარყოფითი წინააღმდეგობის მდგრადი უბნით, ან მეხსიერების მოვლენა.
Depending on the external circuit parameters either S–shaped I–V characteristics with stable region of negative resistance or memory effect are observed.
11290.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
დადგენილია გადართვის ხასიათის ძლიერი დამოკიდებულება საკონტაქტო მასალაზე.
A strong dependence of the character of switching on the contact material has been noted.
11291.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
ნაჩვენებია, რომ გადამრთველი ხელსაწყოების კონტაქტებად ძნელადლღობადი მეტალების გამოყენება ზრდის მათი მუშაობის სტაბილურობას.
It is shown that contacts made of refractory metals stabilize the operation of switching devices.
11292.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
ვოლტ-ამპერული მახასიათებლების შესწავლის საფუძველზე გამოთქმულია მოსაზრება გადართვის შესაძლო მექანიზმის შესახებ.
On the basis of an analysis of characteristics some suggestions are put forward concerning the probable switching mechanism.
11293.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
ძლიერ ლეგირებულ ნახევარგამტარში ზონათა შორის პოლარიზაციის სიბრტყის ბრუნვის დაბალი სიხშირის ზღვარი.
The low–frequency limit of the interband rotation of the plane of polarization in a high – doped semiconductor.
11294.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
გამოთვლილია ძლიერად ლეგირებულ ნახევარგამტარში ზონათა შორის ფარადეის ბრუნვის დაბალი სიხშირის ზღვარი, რომელიც განპირობებულია კონცენტრაციული ეფექტით.
The low–frequency limit of interband Faraday rotation in a high–doped semiconductor caused the concentration effect has been calculated.
11295.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
ფლუქტუაციების თეორია გადაგვარებულ ელექტრონულ სითხეში.
Towards the theory of fluctuations in degenerated electron liquid.
11296.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
შესწავლილია გადაგვარებული ელექტრონული სითხის გასწვრივი ფლუქტუაციების სპექტრი.
The spectrum of longitudinal fluctuations of degenerated electron liquid has been studied.
11297.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
ინდუცირბული და არარეზონანსული ხვრელების წარმოქმნა რადიოსიხშირული დისკრეტული გაჯერების დროს.
Formation of induced and nonresonance holes at radiofrequent descrete saturation.
11298.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
დაკვირვებულ იქნა რეზონანსული ინდუცირებული ხვრელების გაჩენა ელექტრონული პარამაგნიტური რეზონანსის (ეპრ) ხაზებში U<sup>3+2</sup> და Nd<sup>3+</sup> იონებისათვის CaF<sub>2</sub> და SrF<sub>2</sub> მონოკრისტალებში ზემაღალი სიხშირის და რადიოსიხშირის იმპულსების ერთდროული ზემოქმედებისას.
The appearance was noted of induced holes in the EPR line of U<sup>3+</sup> and Nd<sup>3+</sup> in single crystals of CaF<sub>2</sub> and SrF<sub>2</sub> with simultaneous high frequency and radiofrequency pulse influence.
11299.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
რეზონანსული სიხშირეები შეესაბამებიან მაგნიტური ცენტრის გარემომცველ უახლოეს ბირთვებთან ზენაზი ურთიერთქმედებით ენერგეტიკული დონეების გახლეჩას.
Resonance frequencies correspond to the splitting of the energy levels by hyperfine interaction with the nearest nuclei.
11300.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 76, Physics
რადიოსიხშირის მაგნიტური ველის მდგენელი, რომელიც გარე H<sub>0</sub> მაგნიტური ველის პარალელურია, ეპრ ხაზებში აჩენს არარეზონანსულ ხვრელების სისტემას.
The component of the rf field, which is parallel to the external magnetic field H<sub>0</sub>, leads to the formation of a system of nonresonance holes in the EPR line.
Previous Next