668064 Records found
Previous Next
23241.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
გამოკვლეულია p-მეთოქსიბენზილიდენ (-p'-იზოპენტაცილ) ამილის ნემატური და ქოლესტერული სტრუქტურა.
The nematic and cholesteric structures of p–methoxybenzylidene (-p'-isopentacyl) amyl have been investigated.
23242.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
გაზომილია გარდატეხის მაჩვენებლების და დიელექტრიკული მუდმივების ტემპერატურული დამოკიდებულება ორივე სტრუქტურისათვის.
The temperature dependence of the refraction indices and dielectric constants for both structures are measured.
23243.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
მიღებული შედეგების შედარება შესაძლებლობას გვაძლევს ვივარაუდოთ, რომ ორიენტაციული მოწესრიგების პარამეტრი ქოლესტერული თხევადი კრისტალის ნემატურ მონოფენაში იგივეა, რაც ნემატურ თხევად კრისტალში.
Comparison of the obtained data enables to assume that the orientational order parameter S in the nematic monolayer of the cholesteric liquid crystal is the same as that in the nematic liquid crystal.
23244.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
დეფექტების წარმოქმნის მექანიზმები A<sup>III</sup>B<sup>V</sup> ტიპის კრისტალებში.
Mechanisms of defect formation in A<sup>III</sup>B<sup>V</sup> type crystals.
23245.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
ნაჩვენებია, რომ ჩქარი ნეიტრონებითა და ელექტრონებით დასხივებული InAs - ის კრისტალებში უმნიშვნელოვანეს როლს თამაშობენ პირველადი დეფექტების მცირე ასოციაციები მინარევების გარეშე (მაგ., დივაკანსიები), ხოლო InP - ში - მესერის ძლიერად დარღვეული დიდი არეები.
It is shown that in the compounds of InAs, irradiated with fast neutrons and electrons, the most important are the defects of point type – small associations of primary defects (e.g., divacancies). In InP the main defects are larger associations and disordered regions.
23246.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
აღნიშნული დეფექტები ქმნიან მდგომარეობათა სიმკვრივის „რადიაციულ კუდებს“ ნივთიერების აკრძალულ ზონაში.
These defects create the of the density of states in the forbidden and of the material.
23247.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
ნებისმიერი ფორმის კრისტალებისათვის შთანთქმის ფაქტორის პირდაპირი სწრაფი მეთოდით გათვლის ალგორითმი.
The algorithm for fast direct calculation of absorption factor for a crystal of any shape.
23248.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
მოწოდებულია ნებისმიერი ფორმის კრისტალებისათვის შთანთქმის ფაქტორის პირდაპირი სწრაფი მეთოდით გათვლის ალგორითმი.
The algorithm is proposed for fast direct calculation of the absorption factor for a crystal of any shape.
23249.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
აღწერილი ალგორითმი დამყარებულია მულტიპროცესორის რეჟიმში ელექტრული გამომთვლელი მანქანის (ეგმ) ჩვეულებრივი პროცესორის გამოყენებაზე.
The algorithm is based on the use of a computer processor as a computer multiprocessor, materially reducing the computation time.
23250.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
ლალის კრისტალების კომპლექსური სპექტროსკოპიული გამოკვლევა.
Complex spectroscopic investigation of ruby crystals.
23251.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
ნაჩვენებია ლაზერის კრისტალების, ლალის მექანიკურად დამუშავებული ზედაპირის თვისებისა და ხარისხის კომპლექსური კვლევის პერსპექტიულობა ლუმინესცენციის, შთანთქმის თერმოსტიმულირებული ეკზოემისიისა და ლუმინესცენციის სპექტრების საფუძველზე.
On the basis of measuring the spectra of luminescence, optical absorption, the spectra of thermostimulated exoemission and thermoluminescence it is shown that complex research into the properties and qualities of the surface of machined laser ruby crystals has great prospects.
23252.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
აღნიშნულია თერმოსტიმულირებული ეკზოელექტრონული ემისიისა და თერმოლუმინესცენციის ღრმა კავშირი, რომელიც გვიჩვენებს საკვლევ კრისტალებში რეკომბინაციული პროცესების ელექტრონულ ხასიათს.
A close connection is revealed between the thermostimulated exoemission of electrons and thermoluminescence of ruby crystals, which is indicative of the electronic nature of recombinative processes in the tested crystals.
23253.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
თერმული დამუშავების გავლენა ელექტრონული ტიპის სილიციუმის ხვედრით ელექტროწინააღმდეგობაზე.
The effect of thermal treatment on the electric resistivity of n – type silicon.
23254.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
ელექტრონული ტიპის სილიციუმის წრთობის შედეგად მისი ხვედრითი ელექტროწინაღობა იზრდება, წინაღობის ტემპერატურული კოეფიციენტი იცვლის ნიშანს და ოთახის ტემპერატურაზე ნიმუშების შენახვისას გრძელდება წინაღობის შემდგომი ზრდა.
It is shown that a result of n – type silicon hardening the electric resistivity increases, manifesting further spontaneous growth with time at room temperature.
23255.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
ამგვარად დამუშავებული სილიციუმის ნიმუშებს დაბალტემპერატურულ არეში ახასიათებს დიდი თერმული მგრძნობიარობა.
The hardened specimens of n – type silicon have a high thermal sensitivity of resistance in the range of low temperatures.
23256.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
ნახტომური გამტარობა ჩქარი ელექტრონებით გასხივებულ გერმანიუმში.
The hopping conduction in Ge irradiated by fast electrons.
23257.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
შესწავლილია ნახტომური გამტარობა ჩქარი ელექტრონებით გასხივებულ n- და p-ტიპის გერმანიუმში. ნიმუშების კომპენსაციის ხარისხი იცვლებოდა k=0,1÷0,76 ინტერვალში.
An experimental study has been made of the hopping conduction in n- and p-type Ge, irradiated with fast electrons, the compensation degree in the samples being changed in the range of k=0,1÷0,76.
23258.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
ნაჩვენებია, რომ ნახტომური გამტარობის აქტივაციის ენერგიის ε<sub>3</sub>-ისა და კუთრი წინაღობის ექსტრაპოლირებული მნიშვნელობის ρ<sub>3</sub>-ის დამოკიდებულებას კომპენსაციის ხარისხისაგან გააჩნია მინიმუმი.
The activation energy dependence of the hopping conduction ε<sub>3</sub> and the extrapolated value of the resistivity ρ<sub>3</sub> on the compensation degree is found to have a minimum.
23259.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physics
თავისუფალი მატარებლების კონცენტრაციის შემცირება გერმანიუმში, მისი ჩქარი ელექტრონებით გასხივებისას, შედეგია ქიმიური მინარევების თხელი ენერგეტიკული დონეების კომპენსაციისა რადიაციული დეფექტების ღრმა დონეებით.
Thus it is concluded that irradiation with fast electrons resulting in the removal of free carriers is associated with the compensation of low energy levels of chemical impurities by the deep levels of radiation defects.
23260.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 84, Physical geography
ალუვიონის ასაკი ცდოს გარდიგარდმო ჩაზნექილობაში (დარიალის ვიწრობი).
On the age of alluvium in the cross trough of Tsdo (Daryal gorge).
Previous Next