668060 Records found
Previous Next
25201.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Structural mechanics
დამრეცი სფერული გარსის დიფერენციალური განტოლების ზოგადი ინტეგრალი გაანგარიშებულია ცილინდრული ფუნქციებით, ხოლო კერძო ინტეგრალები გაიანგარიშება ბუბნოვ-გალიორკინის მეთოდით, რომელთა გამოთვლა მარტივდება დირაკის ფუნქციების გამოყენებით.
The general integral of the differential equation of sloping spherical shell has been calculated by cylindrical functions, and particular integrals estimated by the Bubnov-Galerkin method, the calculations being simplified by using Dirac functions.
25202.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
U<sup>3+</sup>-ის ტეტრაგონალური ცენტრის ზეზენაზი ურთიერთქმედება SrF<sub>2</sub>-ის მონოკრისტალში.
Hyperfine interaction of U<sup>3+</sup> ion in tetragonal site in SrF<sub>2</sub> single crystal.
25203.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
დასრულებულია U<sup>3+</sup>-ის ტეტრაგონალური ცენტრის ზეზენაზი ურთიერთქმედების გამოკვლევა SrF<sub>2</sub>-ის მონოკრისტალში.
Hyperfine interaction of U<sup>3+</sup> ion in tetragonal site in SrF<sub>2</sub> single crystal has been investigated.
25204.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
რადიოსიხშირული დისკრეტული გაჯერების მეთოდით განსაზღვრულია უახლოესი ოთხი საკოორდინაციო სფეროს ფტორის ბირთვების ზეზენაზი ურთიერთქმედების ტენზორების კომპონენტები თავისი ნიშნებით.
The magnitudes and sings of hyperfine interaction tensor components for fluorine nuclei of the nearest four coordination spheres have been determined by the method of radio–frequency discrete saturation.
25205.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
ბორის დიფუზია სილიციუმში რეაქციული იონურ-პლაზმური გაბნევით მიღებული ბორსილიკატური მინიდან.
Boron diffusion in silicon from borosilicate glass obtained by reactive iono–plasmic sputtering.
25206.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
დადგენილია, რომ ბორის ზედაპირული კონცენტრაცია სილიციუმში განისაზღვრება მხოლოდ ბორის საწყისი კონცენტრაციით ბორსილიკატურ მინაში, რომლის ვარირებით შესაძლებელია ბორის ზედაპირული კონცენტრაციის ცვლილება 4 ∙ 10<sup>18</sup> – 3 ∙ 10<sup>20</sup> სმ<sup>-3</sup> ინტერვალში.
The surface concentration of boron in silicon was found to depend only on the initial concentration of boron in borosilicate glass. Variation of the concentration my yield the surface concentration of boron from 44 ∙ 10<sup>18</sup> – 3 ∙ 10<sup>20</sup> სმ<sup>-3</sup>.
25207.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
Yb<sup>3+</sup> ტრიგონალური ცენტრის სტრუქტურის გამოკვლევა BaF<sub>2</sub>-ში.
Investigation of the structure of the trigonal centre of Yb<sup>3+</sup> in BaF<sub>2</sub> single crystal.
25208.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
დისკრეტული გაჯერების და რადიოსიხშირული დისკრეტული გაჯერების მეთოდით გამოკვლეულ იქნა Yb<sup>3+</sup> -ის ტრიგონალური ცენტრის ზეზენაზი ურთიერთქმედება გარემომცველი იონების ბირთვებთან BaF<sub>2</sub> -ის მონოკრისტალში.
The superhyperfine interaction of the trigonal centre of Yb<sup>3+</sup> with the surrounding nuclei has been investigated by the method of radiofrequency discrete saturation.
25209.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
კოერციტიმეტრი თხელი ნიმუშებისათვის.
Coercive force meter or thin samples.
25210.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
აღწერილია დანადგარი, რომლითაც იზომება თხელი ფერომაგნიტური ნიმუშების კოერციტული ძალა მუდმივი მაგნიტის ველში.
A plant for measuring the coercive force of thin ferromagnetic samples is described.
25211.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
ნიმუშის ადგილმდებარეობა და კოერციტული ძალის სიდიდე განისაზღვრება კატეტომეტრით KM – 6.
The location of the sample and the coercive force were determined by the cathetometer KM – 6.
25212.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
დანადგარი დაგრადუირებულია თხელი ეტალონური ნიმუშით.
The plant is graduated by means of a thin standard sample.
25213.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
1 მმ სისქის ნიმუშებისათვის გაზომვის ცდომილება არ აღემატება ± 5 ერსტედს.
For samples of 1 mm thickness the measurement error is not more than ± 5 oersted.
25214.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
ნიმუშის სისქის შემცირებასთან ერთად იზრდება გაზომვის სიზუსტე.
Reduction of the sample thickness increases the accuracy of measurement.
25215.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
ფონონების გაბნევა მცირე ზომის კოლოიდებზე KCl-ის კრისტალებში.
Phonon scattering on small radius colloids in KCl crystals.
25216.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
გამოკვლეულია KCl-ის სითბოგამტარობა ფონონების გაბნევის გათვალისწინებით სხვადასხვა ზომის კოლოიდებზე.
KCl heat condition is considered taking into account phonon scattering on colloids of different sizes.
25217.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
ზედაპირულად აქტიურ ორგანულ ნივთიერებათა გავლენა კაწვრის დროს ჩაჭიდელების გამოვლინებაზე.
The effect of surface–active organic substances on the development of setting in the process of scratching.
25218.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
ნაჩვენებია ზედაპირულად აქტიურ ორგანულ ნივთიერებათა (ბენზოლი, სპირტი) გავლენა ჩაჭიდულების გამოვლინებაზე ალუმინით, მაგნიუმით და ალუმინის შენადნობით მინის, სილიციუმის, გერმანიუმის და ზოგიერთი ლითონის (ფოლადის, ტანტალის და მოლიბდენის) პრიალა ზედაპირის კაწვრისას.
The effect of surface–active organic substances (benzene, alcohol) on the development of setting during scratching with aluminium, (magnium and aluminium alloys) of polished surfaces of glass, quartz, germanium and some metals (steel, tantalum, molybdenum) is shown.
25219.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
სრულზედაპირიანი ომური კონტაქტი ნახევრადიზოლირებული გალიუმის არსენიდისათვის.
Solid ohmic contacts on semiinsulating GaAs.
25220.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 87, Physics
ექსპერიმენტულად მიღებული და გამოკვლეულია სრულზედაპირიანი ომური კონტაქტები n-ტიპის ნახევრადიზოლირებული გალიუმის არსენიდისთვის, რომლის კუთრი წინააღმდეგობა ოთახის ტემპერატურაზე არის ρ≈107 ომ.სმ.
Solid ohmic contacts on semiinsulating n-GaAs with resistivity ρ≈107 ohm.cm have been experimentally obtained and investigated.
Previous Next