მოიძებნა 668048 ჩანაწერი
წინა შემდეგი
29961.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
გაზომილია კრიტიკული კუთხე φ<sub>c2</sub> და მის შესაბამისად აგებულია პინინგის საშუალო მექანიკური ძალის დამოკიდებულება მაგნიტურ ველზე.
The critical angle φ<sub>c2</sub> has been measured, and the dependence of the mean maximal pinning force on the external magnetic field intensity corresponding to this angle has been plotted.
29962.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
სამუხრუჭე უნარიანობის შესწორების გამოთვლის შესახებ მრავალკომპონენტიან სისტემებში რენტგენოსპექტრული მიკროანალიზის დროს.
On the calculation of a correction for the stopping power of multicomponent systems during their quantitative X-ray electron probe analysis.
29963.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
ნაშრომში მოცემულია შესწორების ფუნქცია, რომელიც ითვალისწინებს სამუხრუჭე უნარიანობის განსხვავებას ეტალონსა და საანალიზო ნიმუშს შორის მრავალკომპონენტიან სისტემებში.
A correlation function that takes into account the difference between the stopping power of the analyzed and reference samples of multicomponent systems during their quantitative X-ray electron probe analysis is given.
29964.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
რაოდენობრივი მიკრორენტგენოსპექტრალური ანალიზის დროს მოცემული ფუნქცია დამოკიდებულია მხოლოდ ელემენტთა ატომურ მახასიათებლებსა და ექსპერიმენტულად გაზომილ პარამეტრებზე.
The function depends only on the atomic properties of the elements and experimentally measured parameters.
29965.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
შესწორების ფუნქციის მნიშვნელობები გამოთვლილია Cu-Au, Ni-Pt რიგის შენადნობთათვის და კარგად ეთანხმება სხვა ავტორთა მონაცემებს.
Its values, calculated for a number of alloys, are in good agreement with the data other authors.
29966.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
ნატრიუმის არგენტონიტრიტის კრისტალური სტრუქტურის გაშიფვრა.
Decoding of the crystalline structure of sodium silver nitrate NaAg(NO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>.
29967.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
მძიმე ატომის მეთოდით გაშიფრულია NaAg(NO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-ის კრისტალური სტრუქტურა. კრისტალი მიეკუთვნება რომბულ სინგონიას, a=7.899 Å, b=10.847 , Å c=10.697 Å. სიმეტრიის სივრცითი ჯგუფი F 222. (დიფრაქტომეტრი “Sintex P1”, Mo, Kα 558 რეფლექსი, ანიზოტროპიული დაზუსტება R=0.046).
The crystalline structure of NaAg(NO<sub>2</sub>)<sub>2</sub> has been decoded by the “heavy atom” method (diffractometer “Sintex P1”, Mo, Kα 558 reflex, anisotropic specification: R=0.046). The crystal belongs to rhombic structure (space symmetry group: F 222) with unit cell parameters: a=7.899 Å, b=10.847 , Å c=10.697 Å.
29968.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
კრისტალი შესდგება ვერცხლისა და ნატრიუმის ფენებად განლაგებული პოლიედრებისაგან.
The crystal consists of layered Ag and Na polyhedra.
29969.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
სამარიუმის, დისპროზიუმის და იტერბიუმის მონოსულფიდების თხელი ფირების თერმო ემძ-ის ტემპერატურული დამოკიდებულებანი.
Temperature dependences of the thermoelectric power of thin samarium, dysprosium and ytterbium monosulphide films.
29970.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
T=100-500K ტემპერატურულ არეში გაზომილია სამარიუმის, დისპროზიუმის და იტერბიუმის მონოსულფიდების თხელი პოლიკრისტალური ფირების თერმოემძ-ის ტემპერატურული დამოკიდებულებანი.
Temperature dependences of the thermoelectric power of thin polycrystalline monosulphide films of SDy, and Yb have been measured in range 100-500 K.
29971.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
α-ს (T=300) მნიშვნელობები შესაბამისად შეადგენენ 60, 8, 260 მკვ/K.
The values of α at 300 K are 60, 8, and 260 μ v/K respectively.
29972.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
DyS-ში შეფასებულია ფერმის ენერგია და მდგომარეობათა სიმკვრივის ეფექტური მასა.
The Fermi energy and density of states mass were estimated for DyS.
29973.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკა
YbS-ში შემჩნეულია თერმოემძ-ის ნიშნის ცვლილება T>450 K ტემპერატურისას.
The change of sign of YbS thermoelectric power was observed at T>450 K.
29974.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკური ქიმია
წყალბადისა და ჟანგბადის ატომების ჰეტეროგენული რეკომბინაციის შესწავლა ტუტე მეტალთა ფტორიდების ზედაპირებზე.
Heterogeneous recombination of hydrogen and oxygen atoms on the surfaces of fluorides of alkali metals.
29975.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკური ქიმია
თეძამის საბადოს ბუნებრივი კლინოპტილოლითის თერმული ანალიზი.
Thermal analysis of the natural clinoptilolite of the Tedzami deposit.
29976.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკური ქიმია
შემუშავებულია ბუნებრივი კლინოპტილოლითის თერმოსტაბილობის ამაღლების მეთოდიკა.
A method is proposed for increasing its thermostability through hydrothermic treatment of the ammonia form of the sample under definite conditions.
29977.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკური ქიმია
თერმული ანალიზისა და ინფრაწითელი სპეკტროსკოპიის მეთოდებით დადგენილია, რომ კლინოპტილოლითის მიღებული მოდიფიცირებული ფორმა წარმოადგენს ულტრასტაბილურ ცეოლითს.
IR spectroscopic analysis data indicate that the obtained stabilized form of clinoptilolite may be considered an ultrastable zeolite.
29978.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკური ქიმია
ნახევარგამტარების ზედაპირის ამოჭმა ჰიდრაზინის პლაზმაში.
Hydrazine plasma etching of semiconductor surfaces.
29979.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკური ქიმია
გერმანიუმის ორჟანგის ამორფული ფირების ზედაპირის პლაზმური ამოჭმის მაგალითზე გამოკვლეულია ნახევარგამტარების ზედაპირების ამოჭმა ჰიდრაზინის პლაზმაში.
Hydrazine plasma etching of semiconductor native oxides in the temperature range of 20 to 500°C has been studied.
29980.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 112, ფიზიკური ქიმია
დადგენილია, რომ გერმანიუმის ზედაპირის ამოჭმის ტემპერატურულ უბანს ჰიდრაზის პლაზმაში შეადგენს 370-400°C, სადაც პროცესის სიჩქარე უმნიშვნელოდაა დამოკიდებული ტემპერატურაზე.
The recommended temperature range for hydrazine etching is 370-400°C, where the etching rate only slightly depends on temperature. Native oxide etching rate increases in the following order.
წინა შემდეგი