მოიძებნა 668048 ჩანაწერი
წინა შემდეგი
39201.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
დაიკვირვება მაქსიმუმების ორი ჯგუფი.
Two groups of maxima are observed.
39202.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
ჯგუფი O მიეწერება ერთი ამღგზნები იმპულსის კიდეებს, რომლებიც განიხილება როგორც ორი ცალკე იმპულსი, ნავარაუდევია, რომ მეორე A ჯგუფის მაქსიმუმები შეიძლება გაპირობებული იყოს ბმრ სპექტრის სასრულო სიგანით.
Group O is attributed to the edges of one excitation pulse, which are considered as two separate pulses; the maxima of the second group A, are believed to be due to the finite width of the NMR spectrum.
39203.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
გამოთქმულია მოსაზრება, რომ ორივე შემთხვევაში სპექტრში არსებული კვადრუპოლური გახლეჩვა განაპირობებს სიგნალების მრავალჯერად ხასიათს.
It is suggested that in both cases the quadrupole splitting in the spectrum determinates the multiple character of signals.
39204.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
ფრენკელის წყვილების ანიჰილაცია ერთგანზომილებიან ჯაჭვში.
Annihilation of Frenkel pairs in a one-dimensional chain.
39205.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
განხილული სისტემის მაგალითზე ნაჩვენებია, რომ კვანძთაშორისების მიგრაციისათვის მუდმივი სიდიდის პოტენციალური ბარიერების არსებობის პირობებში გამოწვის I სტადიის ტემპერატურულ ინტერვალში ქვესტადიების სტრუქტურა ვერ წარმოიქმნება.
It is shown that the equality of energy barriers for interstitial migration precludes substage structure formation within the framework of the annealing stage ascribed to the annihilation process of Frenkel pairs.
39206.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
მოლეკულარული ეპიტაქსიის მეთოდით დამზადებული ჰეტეროსტრუქტურები ინჟექციური ლაზერებისათვის PbS<sub>1-x</sub> Se<sub>x</sub>-ის საფუძველზე.
PbS<sub>1-x</sub> Se<sub>x</sub> heterostructures prepared by molecular beam epitaxy for injection lasers.
39207.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
ნაშრომში გამოკვლეულია მოლეკულარული ეპიტაქსიის მეთოდით მიღებული PbS<sub>1-x</sub> Se<sub>x</sub> ფენების ელექტრული, მორფოლოგიური და სტრუქტურული თვისებები.
Electrical, morphological and structural properties of PbS<sub>1-X</sub> Se<sub>X</sub> layers prepared by molecular beam epitaxy are studied.
39208.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
მათ საფუძველზე რეალიზებულია ჰეტეროსტრუქტურები ინჟექციური ლაზერებისათვის საკმარისად მცირე ზღვრული დენებით 77K ტემპერატურაზე.
Heterostructures based on these layers are realized for injection lasers of fairly low threshold currents at 77K.
39209.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
ჰელიუმიანი ნახშირის კრიოკომპრესორი.
Helium charcoal cryocompressor.
39210.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
ნაშრომში აღწერილია კრიოკომპრესორი (რომელიც გამიზნულია ჰელიუმის ტემპერატურაზე სამუშაოდ) დამხმარე კრიოადსორბციული ტუმბოთი, რომელიც შთანთქავს თბოგამცვლელ გაზს ხელსაწყოს მუშაობისას გაზის წნევის ზრდის რეჯიმში.
The description is given of a cryocompressor (used for helium temperatures) with an auxiliary cryoadsorptive pump absorbing the heat exchange gas when the device starts to operate under increase of the gas pressure.
39211.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
მოცემულია აგრეთვე კრიოკომპრესორის გამოცდის შედეგები.
Test results of the cryocompressor are presented.
39212.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
კლასტერული კრისტალები.
Cluster crystals.
39213.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
ფაზური გადასვლების გამოკვლევის საფუძველზე დადგინდა, რომ 10-20 ატომის შემცველი დაჯგუფებებისაგან შემდგარი სივრცული რეგულარული მესერი, რომელიც მიიღება თხევადი მეტალის შეყვანით ცეოლიტის არხებში, წარმოადგენს მყარი სხეულების ახალ ტიპს - კლასტერულ კრისტალებს.
A study of phase transmitions has shown that the regular spatial lattice formed of groupings involving 10-20 atoms, which is obtained by filling the zeolite with liquid metal, constitutes a new type of solid bodies, i.e. cluster crystals.
39214.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
ნეიტრონების პოლარიზაციის რელაქსაცია მათი პოლარიზებულ ბირთვულ სამიზნეებზე გაბნევისას.
Polarized neutron relaxation at polarized nuclear target scattering.
39215.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
ნაშრომში თანმიმდევრული კვანტურ-სტატისტიკური მიდგომით განხილულია ნეიტრონების პოლარიზაციის რელაქსაცია მათი პოლარიზებულ ბირთვულ სამიზნეებზე გაბნევისას.
A general expression of longitudinal and transverse relaxation times of polarized neutron has been obtained in strict succession by the quantum statistical method.
39216.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
მინაში Er<sup>3+</sup> და Tu<sup>3+</sup> იონებს შორის აღგზნების ენერგიის არაგამოსხივებადი გადაცემის მახასიათებლები.
Characteristics of the nonradiative excitation energy transfer between Er<sup>3+</sup> and Tu<sup>3+</sup> ions in glass.
39217.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
ოქსიდურ მინებში შესწავლილია აღგზნების ელექტრონული ენერგიის არაგამოსხივებადი გადაცემა Er<sup>3+</sup> - Tu<sup>3+</sup> წყვილში.
Nonradiative transfer of excitation energy in the Er<sup>3+</sup> - Tu<sup>3+</sup> system in oxide glasses was studied.
39218.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
ნაჩვენებია, რომ ენერგიის გადაცემის პროცესი ძირითადად ხორციელდება არარეზონანსული მექანიზმით.
Nonresonance interactions between donor and acceptor ions are shown to play a decisive role in the transfer processes.
39219.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
განსაზღვრულია დონორ-აქცეპტორის ურთიერთქმედების პარამეტრები და გაკეთებულია დასკვნა, რომ გამოკვლეულ სისტემაში Er<sup>3+</sup> და Tu<sup>3+</sup> იონებს შორის ურთიერთქმედება ატარებს დიპოლ-დიპოლურ ხასიათს.
The donor acceptor interaction parameters are determined and the mechanism of Er<sup>3+</sup> - Tu<sup>3+</sup> energy transfer is shown to be dipole-dipole in character.
39220.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 118, ფიზიკა
გალიუმის არსენიდის ფენების მიღება მოლეკულურ-სხივური ეპიტაქსიის მეთოდით.
Growth of GaAs layers by molecular beam epitaxy.
წინა შემდეგი