მოიძებნა 668065 ჩანაწერი
წინა შემდეგი
19181.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
იზოთერმულად მოწვის შედეგად Q<sup>-1</sup>(T) მრუდების ტრანსფორმაცია ატარებს ერთნაირ ხასიათს ორივე შენადნისათვის.
After isothermal annealing, the transformation of Q<sup>-1</sup>(T) curves has the same character for both alloys.
19182.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
შინაგანი ხახუნის აღმოჩენილი თავისებურებანი ახსნილია სპილენძით მდიდარ სპილენძ–ნიკელის შენადნებში მიმდინარე ახლო განშრევების პროცესებითა და გინიე–პრესტონის ტიპის ზონების წარმოშობით.
The observed characteristics of the internal friction are explained by separation processes and Guinier-Preston-type zone formation in cooper-rich copper-nickel alloys.
19183.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
შინაგანი ხახუნი V-B სისტემის შენადნობებსი.
Internal friction of the V-B binary system.
19184.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
გამოკვლეულია სითხიდან წრთობით მიღებული ვანადიუმისა და ევტექტიკური შენადნობის V<sub>87</sub>B<sub>13</sub> შინაგანი ხახუნის ტემპერატურული დამოკიდებულება.
The temperature dependence of internal friction of pure vanadium and an eutectic alloy V<sub>87</sub>B<sub>13</sub> has been investigated at a frequency of ~1 Hz.
19185.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
რეკომბინაციული გამოსხივების პოლარიზაციისა და ინტენსივობის დამოკიდებულება დენის გადამტანთა საშუალო სპინების ორიენტაციაზე GaAs–ის ტიპის ნახევარგამტარებში.
The dependence of polarization and intensity of recombination radiation on the carrier’s spin orientation in GaAs-type semiconductors.
19186.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
მიღებულია ზოგადი თეორიული გამოსახულება რეკომბინაციული გამოსხივების ინტენსივობისთვის.
A general theoretical expression for the intensity of recombination radiation has been obtained.
19187.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
ეს საშუალებას იძლევა განისაზღვროს რეკომბინაციაში მონაწილე ნაწილაკთა საშუალო სპინი და მათი პოლარიზაცია.
It has permitted to determine the average spins of recombined particles and its polarization.
19188.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
დიკვარკები და სიმების ურთიერთქმედება კქგ–ში.
Diquarks and string interaction in QCD.
19189.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
მეზონ–ბარიონ–ანტიბარიონული სიმების ურთიერთქმედბის მუდმივი გამოისახა კვარკ–გლიუონის ბმის მუდმივითა და დიკვარკის მასით.
The strength of the meson-baryon-antibaryon strings interaction is expressed through the quark-gluon coupling constant and diqoark mass.
19190.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
სივრცითარხიანი მდნ ტრანზისტორი (თეორია).
MIS FET with a bulk channel (theory).
19191.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
მიღებულია იზოლირებულჩამკეტიანი თხელფენოვანი ველის ტრანზისტორის ვოლტ–ამპერული მახასიათებლის ანალიზური გამოსახულება. გათვალისწინებულია დიელექტრიკის მუდმივი მუხტი და დიელექტრიკ–ნახევარგამტარის საზღვარზე ზედაპირული მუხტის ცვლილება.
Analytical expressions describing I-V characteristics of a thin-film insulated data FET (MIS FET) have been obtained, taking into account the built-in charge at the insulator-semiconductor interface.
19192.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
ნაჩვენებია ზედაპირული მდგომარეობების გადამუხტვის გავლენა დენის სიდიდეზე.
The effect of surface state recharge on the MIS FET drain current value is shown.
19193.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
მიღებული გამოსახულებანი სამართლიანია არხის როგორც გაღარიბების, ისე გამდიდრების რეჟიმში მომუშავე ტრანზისტორებისათვის.
The expressions obtained are valid for MIS FETs operating both in depletion and enhancement modes of the channel.
19194.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
მყარ სხეულებში ზეემანის და დიპოლურ ქვესისტემებს შორის კროს–რელაქსაციის საკითხის შესახებ.
Concerning cross-relaxation between Zeeman and dipole spin subsystems in a solid.
19195.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
განხილულია ძლიერ მაგნიტურ ველში H<sub>0»</sub>H<sub>2</sub> (H<sub>2</sub> ლოკალური ველია) სპინურ სისტემაში ერთიანი ტემპერატურის დამყარების საკითხი.
The title problem is discussed for the case when strong magnetic fields H<sub>0»</sub>H<sub>2</sub> (H<sub>2</sub> is a local field) are involved.
19196.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
პულსარის მაგნიტოსფეროში ციკლოტრონული პოტენციური არამდგრადობის აღძვრის შესახებ.
On the excitation of cyclotron potential instability in the magnetospheres of pulsars.
19197.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
განხილულია პოტენციური ტალღების აღგზნება ცივ ელექტრონულ პოზიტრონულ პლაზმაში. აღგზნება ხდება დამუხტული ნაწილაკების რელატივისტური ნაკადით, რომლის გავრცელების მიმართულება კუთხეს ქმნის მაგნიტურ ველთან.
The excitation of potential waves in cool electron- positron plasmas with a relativistic oblique current of charged particles relative to the magnetic field is considered.
19198.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
განხილულია შემთხვევა, როდესაც ტალღა მაგნიტური ველის მართებულად ვრცელდება და გამოთვლილია სათანადო ინკრემენტი.
The case of perpendicular (kz=0) propagation of potential cyclotron waves has been analysed and the corresponding growth rate found.
19199.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
ნაჩვენებია, რომ ასეთი ტალღების აღგზნება შესაძლებელია მხოლოდ იმ შემთხვევაში, როდესაც კონის სიჩქარის მართობი მდგენელი რელატივისტურია. ძლიერი რელატივიზმის შემთხვევაში ხდება არამდგრადობის სტაბილირება.
Excitation of such waves across the magnetic field was found to be possible only when the relativistic transversal velocity component of charged particles is present.
19200.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 109, ფიზიკა
ინკრემენტი აღწევს მაქსიმუმს V<sub>0/c</sub> = 0.8 პარამეტრის მნიშვნელობისათვის.
The growth rate reaches the maximum under resonance conditions at V<sub>0/c</sub> ≈ 0.8.
წინა შემდეგი