668060 Records found
Previous Next
26881.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
ნაშრომში შესწავლილია გალიუმის არსენიდის ეპიტაქსიალური ფირების ზრდის პროცესში სილიციუმით ლეგირების თერმოდინამიკა ქლორიდულ სისტემაში Ga-AsCl<sub>3</sub>-H<sub>2</sub>-SiCl<sub>4</sub>.
Theoretical evaluation has been made of Si-doping levels in GaAs epitactic layers as a function of the technological parameters of the growth process in the chloride system Ga-AsCl<sub>3</sub>-H<sub>2</sub>-SiCl<sub>4</sub>.
26882.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
თეორიული გამოკვლევების საფუძველზე მიღებულია ახალი ფორმულა, რომელიც აღწერს ლეგირების პროცესს.
A formula describing the reaction of doping GaAs epitactic layers with silicon in the growth process is proposed.
26883.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
ხაზოვანი ზეტ–პინჩის ელექტროდებზე შემჩნეული პროცესები.
Electrode-side processes observed in a linear Z-pinch.
26884.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
ნაშრომში განხილულია ხაზოვანი ზეტ–პინჩის ბოლო ნაწილის არამდგრადობა და ელექტროდებზე დენისა და პოტენციალის განაწილების გაზომვის შედეგები.
The paper deals with end instabilities and the results of current and potential distribution measurements at the electrodes of a linear Z-pinch.
26885.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
განმუხტვის ანოდის ნაწილში შეინიშნება ძლიერი კუმშვა, რომელსაც პინჩი მიჰყავს გაგლეჯამდე.
In the anode-side region, an intense neck formation is observed, leading to pinch distribution.
26886.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
კათოდურ ნაწილში კი, პირიქით, წარმოიქმნება პინჩის გაპობა პლაზმური განმუხტვის ზედაპირული ფენიდან, რომელიც ფართოვდება კონუსური შრის სახით და თითქმის კათოდის მთელ ზედაპირს ფარავს.
The site of the distribution is immediately by-passed by the currents flowing in the surrounding plasma. In the cathode-side region, a plasma layer is detached from the discharge surface; this layer expands as a conical sheath, covering almost the entire cathode surface.
26887.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
პლაზმის ქცევა ანოდის მახლობლად კოაქსიალური ამაჩქარებლისა და არასიმეტრიული ზეტ–პინჩის „პლაზმური ფოკუსის“ მსგავსია.
Plasma behavior near the anode is compared with the “plasma focus” of the coaxial accelerator and an asymmetrical Z-pinch.
26888.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
ელექტროდებზე დენისა და პოტენციალის განაწილების გაზომვა წარმოებდა სპეციალური კონსტრუქციის ელექტროდებით.
Measurements of current and potential distributions at the electrodes were carried out by specially designed electrodes.
26889.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
შეშფოთების გათვალისწინების შესახებ არაწონასწორული სტატისტიკური ოპერატორის აგებისას მაღალ მიახლოებაში.
On the consideration of interaction in constructing a non-equilibrium operator in high-order approximation.
26890.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
განხილულია საკითხი ქვესისტემების ოპერატორების არჩევისა და მათ შორის შეშფოთების გათვალისწინებისა არაწონასწორული სტატისტიკური ოპერატორების აგებისას.
The paper discusses the problem of choosing subsystem operators and considering the perturbation between them in the construction of a non-equilibrium statistical operator.
26891.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
კერძო მაგალითზე ნაჩვენებია, რომ შეშფოთების გათვალისწინება არაწონასწორულ სტატისტიკურ ოპერატორში არ ცვლის კინეტიკურ კოეფიციენტების შეშფოთების თეორიის მეორე მიახლოების სიზუსტით.
It is shown that consideration of perturbation in a non-equilibrium operator does not alter the kinetic coefficients with the precision of second-order approximation of the perturbation theory.
26892.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
Pb<sub>1-x</sub>SnxSe<sub>1-y</sub> და PbSe<sub>1-y</sub>Te<sub>y</sub> ეპიტაქსიალური ფენები ჰეტეროსაზღვარზე შეთანხმებული მესრის პარამეტრებით.
Pb<sub>1-x</sub>SnxSe<sub>1-y</sub> and PbSe<sub>1-y</sub>Te<sub>y</sub> epitaxial layers with matched lattice parameters at the hetero-interface.
26893.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
ნაშრომში პირველადაა განხილული ფაზური წონასწორობა PbSnSe და PbSeTe სისტემების თხევადი ეპიტაქსიის პროცესებისათვის სათანადოდ 600 და 660° C–ზე.
The results are presented on the liquid and solid phases equilibrium in PbSnSe and PbSeTe at 600° C and the mismatch dependences of the layer and substrate lattice parameters on the liquid phase content are shown.
26894.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
(p, pα) რეაქციის გამოკვლევა ზოგიერთ მსუბუქ ბირთვზე.
Investigation of the (p, pα) reaction on some light nuclei.
26895.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
გამოკვლეულია კვაზიდრეკადი რეაქცია Li<sup>6</sup>, Li<sup>7</sup>, Be<sup>9</sup> და C<sup>12</sup> ბირთვებზე E≤100 მევი ენერგიისათვის მოდიფიცირებულ იმპულსურ მიახლოებაში, რომელიც უფრო სრულყოფილად ითვალისწინებს ერთჯერადი დაჯახების მექანიზმს, ვიდრე ჩვეულებრივი იმპულსური მიახლოება.
The quasielastic knockout reaction on the ligh nuclei Li<sup>6</sup>, Li<sup>7</sup>, Be<sup>9</sup>, C<sup>12</sup> at E≤100 Mev energies in modified impulse approximation is investigated. The approximation takes a more complete account of the single collision mechanism than does an ordinary impulse approximation.
26896.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
თერმოდამუშავების გავლენა Au-n-GaP შოტკის დიოდების ფოტოელექტრულ თვისებებზე.
The effect of heat treatment on the photoelectric characteristics of Au-n-GaP Schottky diodes.
26897.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
დადგენილია, რომ ქიმიური მეთოდით მიღებული Au-n-GaP შოტკის დიოდები თერმოდამუშავების შედეგად 200-300° C ხასიათდებიან იდეალური ვოლტამპერული მრუდით გამტარ მიმართულებაში.
Following their heat treatment at 200-300° C, chemically obtained Au-n-GaP Schottky diodes, were found to be characterized by an ideal volt-ampere curve in the conductive direction.
26898.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
ლიგანდური ზენაზი ურთიერთქმედება V<sup>3</sup>+ CdF<sub>2</sub>.
Ligand hyperfine interaction of V<sup>3</sup>+ in CdF<sub>2</sub>.
26899.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
არარეგულარულ გარემოში სინათლის მინარევული ნაწილაკებით შთანთქმის თეორიისათვის.
On the theory of light absorption by impurities in nonregular systems.
26900.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 110, Physics
გამოკვლეულია არარეგულარული გარემოს ეფექტურ ოსცილატორთა განაწილების ფუნქციაზე ექსტინქციის კოეფიციენტების დამოკიდებულება ელექტრონული ქვესისტემის გარემოსთან ნებისმიერი ბმის პირობებში.
The effect of nonregular medium frequency distribution function is investigated at arbitrary electron-medium coupling.
Previous Next