668065 Records found
19181.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
იზოთერმულად მოწვის შედეგად Q<sup>-1</sup>(T) მრუდების ტრანსფორმაცია ატარებს ერთნაირ ხასიათს ორივე შენადნისათვის.
After isothermal annealing, the transformation of Q<sup>-1</sup>(T) curves has the same character for both alloys.
19182.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
შინაგანი ხახუნის აღმოჩენილი თავისებურებანი ახსნილია სპილენძით მდიდარ სპილენძ–ნიკელის შენადნებში მიმდინარე ახლო განშრევების პროცესებითა და გინიე–პრესტონის ტიპის ზონების წარმოშობით.
The observed characteristics of the internal friction are explained by separation processes and Guinier-Preston-type zone formation in cooper-rich copper-nickel alloys.
19183.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
შინაგანი ხახუნი V-B სისტემის შენადნობებსი.
Internal friction of the V-B binary system.
19184.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
გამოკვლეულია სითხიდან წრთობით მიღებული ვანადიუმისა და ევტექტიკური შენადნობის V<sub>87</sub>B<sub>13</sub> შინაგანი ხახუნის ტემპერატურული დამოკიდებულება.
The temperature dependence of internal friction of pure vanadium and an eutectic alloy V<sub>87</sub>B<sub>13</sub> has been investigated at a frequency of ~1 Hz.
19185.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
რეკომბინაციული გამოსხივების პოლარიზაციისა და ინტენსივობის დამოკიდებულება დენის გადამტანთა საშუალო სპინების ორიენტაციაზე GaAs–ის ტიპის ნახევარგამტარებში.
The dependence of polarization and intensity of recombination radiation on the carrier’s spin orientation in GaAs-type semiconductors.
19186.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
მიღებულია ზოგადი თეორიული გამოსახულება რეკომბინაციული გამოსხივების ინტენსივობისთვის.
A general theoretical expression for the intensity of recombination radiation has been obtained.
19187.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
ეს საშუალებას იძლევა განისაზღვროს რეკომბინაციაში მონაწილე ნაწილაკთა საშუალო სპინი და მათი პოლარიზაცია.
It has permitted to determine the average spins of recombined particles and its polarization.
19188.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
დიკვარკები და სიმების ურთიერთქმედება კქგ–ში.
Diquarks and string interaction in QCD.
19189.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
მეზონ–ბარიონ–ანტიბარიონული სიმების ურთიერთქმედბის მუდმივი გამოისახა კვარკ–გლიუონის ბმის მუდმივითა და დიკვარკის მასით.
The strength of the meson-baryon-antibaryon strings interaction is expressed through the quark-gluon coupling constant and diqoark mass.
19190.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
სივრცითარხიანი მდნ ტრანზისტორი (თეორია).
MIS FET with a bulk channel (theory).
19191.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
მიღებულია იზოლირებულჩამკეტიანი თხელფენოვანი ველის ტრანზისტორის ვოლტ–ამპერული მახასიათებლის ანალიზური გამოსახულება. გათვალისწინებულია დიელექტრიკის მუდმივი მუხტი და დიელექტრიკ–ნახევარგამტარის საზღვარზე ზედაპირული მუხტის ცვლილება.
Analytical expressions describing I-V characteristics of a thin-film insulated data FET (MIS FET) have been obtained, taking into account the built-in charge at the insulator-semiconductor interface.
19192.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
ნაჩვენებია ზედაპირული მდგომარეობების გადამუხტვის გავლენა დენის სიდიდეზე.
The effect of surface state recharge on the MIS FET drain current value is shown.
19193.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
მიღებული გამოსახულებანი სამართლიანია არხის როგორც გაღარიბების, ისე გამდიდრების რეჟიმში მომუშავე ტრანზისტორებისათვის.
The expressions obtained are valid for MIS FETs operating both in depletion and enhancement modes of the channel.
19194.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
მყარ სხეულებში ზეემანის და დიპოლურ ქვესისტემებს შორის კროს–რელაქსაციის საკითხის შესახებ.
Concerning cross-relaxation between Zeeman and dipole spin subsystems in a solid.
19195.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
განხილულია ძლიერ მაგნიტურ ველში H<sub>0»</sub>H<sub>2</sub> (H<sub>2</sub> ლოკალური ველია) სპინურ სისტემაში ერთიანი ტემპერატურის დამყარების საკითხი.
The title problem is discussed for the case when strong magnetic fields H<sub>0»</sub>H<sub>2</sub> (H<sub>2</sub> is a local field) are involved.
19196.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
პულსარის მაგნიტოსფეროში ციკლოტრონული პოტენციური არამდგრადობის აღძვრის შესახებ.
On the excitation of cyclotron potential instability in the magnetospheres of pulsars.
19197.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
განხილულია პოტენციური ტალღების აღგზნება ცივ ელექტრონულ პოზიტრონულ პლაზმაში. აღგზნება ხდება დამუხტული ნაწილაკების რელატივისტური ნაკადით, რომლის გავრცელების მიმართულება კუთხეს ქმნის მაგნიტურ ველთან.
The excitation of potential waves in cool electron- positron plasmas with a relativistic oblique current of charged particles relative to the magnetic field is considered.
19198.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
განხილულია შემთხვევა, როდესაც ტალღა მაგნიტური ველის მართებულად ვრცელდება და გამოთვლილია სათანადო ინკრემენტი.
The case of perpendicular (kz=0) propagation of potential cyclotron waves has been analysed and the corresponding growth rate found.
19199.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
ნაჩვენებია, რომ ასეთი ტალღების აღგზნება შესაძლებელია მხოლოდ იმ შემთხვევაში, როდესაც კონის სიჩქარის მართობი მდგენელი რელატივისტურია. ძლიერი რელატივიზმის შემთხვევაში ხდება არამდგრადობის სტაბილირება.
Excitation of such waves across the magnetic field was found to be possible only when the relativistic transversal velocity component of charged particles is present.
19200.
Bulletin of the Academy of Sciences of Georgia | Volume 109, Physics
ინკრემენტი აღწევს მაქსიმუმს V<sub>0/c</sub> = 0.8 პარამეტრის მნიშვნელობისათვის.
The growth rate reaches the maximum under resonance conditions at V<sub>0/c</sub> ≈ 0.8.