მოიძებნა 668048 ჩანაწერი
წინა შემდეგი
33001.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
გაზის მინარევების გავლენა დასხივებული Al-Li6 შენადნობში ელექტროწინააღმდეგობის აღდგენის ხასიათზე.
The influence of gas impurities on the recovery of electrical resistance of irradiated Al-Li6 alloys.
33002.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
ელექტრონული ნაკადისა და შენელებული ელექტრომაგნიტური ტალღების ურთიერთქმედების ერთი შემთხვევის შესახებ.
On a case of electromagnetic field interaction with a slow electromagnetic wave.
33003.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
განხილულია შემანელებელ პერიოდულ სტრუქტურაში ელექტრონების ნაკადისა და ელექტრომაგნიტური ტალღების ურთიერთქმედების შემთხვევა.
The interaction of electron stream with a slow electromagnetic wave in the periodic structure of a special form is considered.
33004.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
ნაჩვენებია, რომ სისტემის გეომეტრიული პარამეტრების სათანადო შერჩევისას ელექტრომაგნიტური ტალღები ძლიერდება.
Numerical calculations have proved that by means of an appropriate choice of geometric dimensions of the structure it will work in the regime of electromagnetic wave amplification.
33005.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
წერტილოვანი დეფექტების ქცევა γ-სხივებით დასხივებულ Al-Li-ის შენადნში.
On the behaviour of point defects in γ-irradiated Al-Li alloys.
33006.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
სუსტ მყარ ხსნარებში მცირე დოზებით დასხივების დროს წარმოიქმნება მოძრავი ვაკანსია-ლითიუმის წყვილების, ხოლო გაჯერებულ Al-Li-ის მყარ ხსნარებში უძრავი ლითიუმი-ვაკანსიის კომპლექსები.
Early stages of γ-irradiation are characterized by the formation of vacancy-Li couples in dilute Al-Li alloys, and the formation of vacancy-Li aggregates in participating Al-Li alloys.
33007.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
გამდნარი მეტალის გადაადგილება GaAs-ის ზედაპირზე მუდმივი ელექტრული დენის გავლენით.
Melted metal displacement throughout GaAs surface under the action of DC current.
33008.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
ნაჩვენებია, რომ გამდნარი ინდიუმის და კალის მოძრაობის სიჩქარის სიდიდე 300÷500°C ტემპერატურულ ინტერვალში შეადგენს 10-7÷5·10-5 სმ/სეკ, ხოლო გამდნარი Au:Ge-ის გადაადგილების სიჩქარე 400÷600°C ტემპერატურულ ინტერვალში 5: 10-7÷5·10-6 სმ/სეკ ტოლია.
It is shown that the displacement rates of the In and Sn melts vary on the average from 10-7cm/s to 5·10-5cm/s with the temperature increase from 300°C to 500°C, and the displacement rate of the Au:Ge melt in the temperature range 400 to 600°C is from 5·10-7 to 5·10-6 cm/s, respectively.
33009.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
გაკეთებულია დასკვნა, რომ In-ის გადაადგილების მიმართულებას განსაზღვრავს ნახევარგამტარის ატომების ელექტროგადატანა გამდნარ ინდიუმში, მაშინ როცა Sn-ისა და Au: Ge-ის გადაადგილება პელტიეს ეფექტით არის გაპირობებული.
It is concluded that the direction of In displacement throughout the GaAs sample surfaces is due to electron transfer of semiconductor atoms in the In melt, while the direction of Sn and Au:Ge displacements is due to the Peltier effect.
33010.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
ვარიაციული მეთოდი ცილინდრებისაგან შემდგარი პერიოდული მესერის თეორიაში.
Variation method in the theory of diffraction on cylindrical lattice.
33011.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
ვარიაციული მეთოდით მიღებულია ბრტყელი E-პოლარიზებული ტალღის ცილინდრებისაგან შემდგარ პერიოდულ მესერზე დიფრაქციის ამოცანის მიახლოებითი გადაწყვეტა კვაზიოპტიკური დიაპაზონისათვის, რაც წარმატებით შეიძლება იქნეს გამოყენებული ღია რეზონატორების ანგარიშის დროს, რომლებშიც ზემოაღნიშნული მესერი ერთ-ერთ ძირითად ელემენტს წარმოადგენს.
Using the variation method, an approximate solution of diffraction on a periodic lattice formed of E-polarized wave cylinders has been obtained for the quasi-optical range. The solution can be successfully applied in the design of resonators, in which the lattice in question constitutes one of the main elements.
33012.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
თერმოდამუშავების გავლენა ჟანგბადით იმპლანტირებული გალიუმის არსენიდის ელექტრულ თვისებებზე.
The effect of thermal treatment on the electrical parameters of oxygen implanted GaAs.
33013.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
აღწერილია მაღალომიანი გალიუმის არსენიდის მიღება ჟანგბადის იონებით იმპლანტაციისა და შემდგომი თერმოდამუშავების შედეგად.
The production of high-resistivity GaAs by oxygen implantation and subsequent annealing is described.
33014.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
წინააღმდეგობის ტემპერატურული დამოკიდებულების მრუდიდან შეფასებულია ღრმა დონის აქტივაციის ენერგია აღწერილი მეთოდით მიღებულ მაღალომიან კრისტალებში.
The activation energy of the deep level in the obtained high-resistivity crystals is estimated from the resistivity-temperature dependence.
33015.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
თერმოდამუშავებული ნიმუშების ფოტოლუმინესცენციის სპექტრში 77°K-ზე აღმოჩენილია სპილენძის მინარევის შესაბამისი გამოსხივების მაქსიმუმი.
The maximum of irradiation in the photoluminescence spectrum of the annealed samples is found at 77°K, which is attributed to copper impurity.
33016.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
მოყვანილია ზოგიერთი მოსაზრება კომპენსაციის სამდონიანი მოდელის სასარგებლოდ.
Some considerations in favour of a three-level compensation model are presented.
33017.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
გამომსხივებელი სტრუქტურების დეგრადაციის მექანიზმის შესახებ.
On a possible degradation mechanism of light-emitting structures.
33018.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
გამოკვლეულია გამომსხივებელი სტრუქტურების დეგრადაციის კანონზომიერებანი.
Regularities of degradation of the light-emitting structures have been studied.
33019.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
ვოლტამპერული მახასიათებლების და დენის ტემპერატურისაგან დამოკიდებულების შესწავლის საფუძველზე დადგენილია, რომ p―n გადასვლის არეში დეგრადაციის შედეგად მასალის აკრძალულ ზონაში წარმოიქმნება ახალი ენერგეტიკული დონე, რომელიც წარმოადგენს გამოუსხივებადი რეკომბინაციის არხს.
From I-V curves and temperature dependence of current it is established that as a result of degradation, a new energy level is formed in the p―n junction region in the band gap of the material which serves as a channel of nonradiative recombination.
33020.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 94, ფიზიკა
მიღებული შედეგების ერთობლიობა იძლევა უფლებას დავასკვნათ, რომ სტრუქტურების დეგრადაცია გამოწვეულია საკვანძთაშორისო იონების მიგრაციით p―n არეში.
The results obtained allow the conclusion that the degradation of the structures is due to the migration of interstitial ions to the p-n junction region.
წინა შემდეგი