მოიძებნა 668068 ჩანაწერი
წინა შემდეგი
11281.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
მიღებულია ზეემანის ქვესისტემებისათვის დიფერენციალური განტოლებები მატრიცის ბირთვების სპინური დიფუზიის გათვალისწინებით იმ შემთხვევაში, როდესაც ცვლადი მაგნიტური ველები მოდებულია ზუსტ რეზონანსში და ზუსტად არის დაკმაყოფილებული ჰანის პირობა.
Differential equations are obtained for Zeeman subsystems with account for spin diffusion of matrix nuclei in the case when alternating fields are applied in an exact resonance and exactly satisfy the Hahn condition.
11282.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
50 მევ ენერგიის ელექტრონებით დასხივებული ინდიუმის ფოსფიდისა და ინდიუმის არსენიდის კრისტალების ელექტროგამტარებლობა.
Electroconductivity of indium phosphide and indium arsenide crystals irradiated with 50 Mev electrons.
11283.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
გამოკვლეულია 50 მევ ენერგიის მქონე ელექტრონებით დასხივებული InP და InAs კრისტალების ელექტრული თვისებები (77–300)°K ტემპერატურულ ინტერვალში.
The electrical properties of InP and InAs crystals irradiated with 50 Mev electrons in the temperature range (77–300)°K have been investigated.
11284.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
გაანალიზებულია დენის მატარებლების კონცენტრაციის და ძვრადობის დამოკიდებულება ტემპერატურაზე დასხივების შემდეგ.
The temperature dependences of carrier concentration and mobility after irradiation were analyzed.
11285.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
ძვრადობის ექსპერიმენტული შედეგები შედარებულია იონიზებულ მინარევებსა და კრისტალური მესერის ოპტიკურ რხევებზე დენის მატარებლების გაბნევის თეორიის მონაცემებთან.
The experimental data were compared with theoretical calculations based on the theory of scattering over ionized impurities and of polar lattice scattering.
11286.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
გადართვის მოვლენა CdGeAs<sub>2</sub> შენაერთის საფუძველზე დამზადებულ თხელ ამორფულ ფირებში.
Switching effect in thin amorphous films based on CdGeAs<sub>2</sub>.
11287.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
შრომაში შესწავლილია ზღვრული ელექტრული გადართვის მოვლენა CdGeAs<sub>2</sub> შენაერთის საფუძველზე დამზადებულ თხელ ამორფულ ფირებში.
Electric threshold switching in thin amorphous films obtained from CdGeAs<sub>2</sub> has been investigated.
11288.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
შესწავლილია ამ ფირების საფუძველზე დამზადებული გადამრთველი ხელსაწყოების ვოლტ-ამპერული მახასიათებლები დინამიკურ რეჟიმში.
The dynamic I–V characteristics of thin–film switching devices have been studied.
11289.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
წრედისგარეშე პარამეტრების სათანადო შერჩევისას დაიმზირებოდა ან S-მაგვარი ვოლტ-ამპერული მახასიათებელი უარყოფითი წინააღმდეგობის მდგრადი უბნით, ან მეხსიერების მოვლენა.
Depending on the external circuit parameters either S–shaped I–V characteristics with stable region of negative resistance or memory effect are observed.
11290.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
დადგენილია გადართვის ხასიათის ძლიერი დამოკიდებულება საკონტაქტო მასალაზე.
A strong dependence of the character of switching on the contact material has been noted.
11291.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
ნაჩვენებია, რომ გადამრთველი ხელსაწყოების კონტაქტებად ძნელადლღობადი მეტალების გამოყენება ზრდის მათი მუშაობის სტაბილურობას.
It is shown that contacts made of refractory metals stabilize the operation of switching devices.
11292.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
ვოლტ-ამპერული მახასიათებლების შესწავლის საფუძველზე გამოთქმულია მოსაზრება გადართვის შესაძლო მექანიზმის შესახებ.
On the basis of an analysis of characteristics some suggestions are put forward concerning the probable switching mechanism.
11293.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
ძლიერ ლეგირებულ ნახევარგამტარში ზონათა შორის პოლარიზაციის სიბრტყის ბრუნვის დაბალი სიხშირის ზღვარი.
The low–frequency limit of the interband rotation of the plane of polarization in a high – doped semiconductor.
11294.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
გამოთვლილია ძლიერად ლეგირებულ ნახევარგამტარში ზონათა შორის ფარადეის ბრუნვის დაბალი სიხშირის ზღვარი, რომელიც განპირობებულია კონცენტრაციული ეფექტით.
The low–frequency limit of interband Faraday rotation in a high–doped semiconductor caused the concentration effect has been calculated.
11295.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
ფლუქტუაციების თეორია გადაგვარებულ ელექტრონულ სითხეში.
Towards the theory of fluctuations in degenerated electron liquid.
11296.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
შესწავლილია გადაგვარებული ელექტრონული სითხის გასწვრივი ფლუქტუაციების სპექტრი.
The spectrum of longitudinal fluctuations of degenerated electron liquid has been studied.
11297.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
ინდუცირბული და არარეზონანსული ხვრელების წარმოქმნა რადიოსიხშირული დისკრეტული გაჯერების დროს.
Formation of induced and nonresonance holes at radiofrequent descrete saturation.
11298.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
დაკვირვებულ იქნა რეზონანსული ინდუცირებული ხვრელების გაჩენა ელექტრონული პარამაგნიტური რეზონანსის (ეპრ) ხაზებში U<sup>3+2</sup> და Nd<sup>3+</sup> იონებისათვის CaF<sub>2</sub> და SrF<sub>2</sub> მონოკრისტალებში ზემაღალი სიხშირის და რადიოსიხშირის იმპულსების ერთდროული ზემოქმედებისას.
The appearance was noted of induced holes in the EPR line of U<sup>3+</sup> and Nd<sup>3+</sup> in single crystals of CaF<sub>2</sub> and SrF<sub>2</sub> with simultaneous high frequency and radiofrequency pulse influence.
11299.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
რეზონანსული სიხშირეები შეესაბამებიან მაგნიტური ცენტრის გარემომცველ უახლოეს ბირთვებთან ზენაზი ურთიერთქმედებით ენერგეტიკული დონეების გახლეჩას.
Resonance frequencies correspond to the splitting of the energy levels by hyperfine interaction with the nearest nuclei.
11300.
საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მოამბე | ტომი 76, ფიზიკა
რადიოსიხშირის მაგნიტური ველის მდგენელი, რომელიც გარე H<sub>0</sub> მაგნიტური ველის პარალელურია, ეპრ ხაზებში აჩენს არარეზონანსულ ხვრელების სისტემას.
The component of the rf field, which is parallel to the external magnetic field H<sub>0</sub>, leads to the formation of a system of nonresonance holes in the EPR line.
წინა შემდეგი